In ieder geval bedankt.

Ik denk dat ik er trouwens al uit ben.

Groeten,

Joost

Joost,

Ik heb via Google eens gezocht naar 'MOS Capacitor', je zult dan zeker vinden wat je zoekt. Het onderwerp is voor mij verder te complex om zo eventjes te absorberen, ik kan je er verder niet veel zinnigs over zeggen.

De Powerpoint presentatie op [url=http://%20%5burl=http://www4.ncsu.edu:8030/~vmisra/MOS.ppt%5dhttp://www4.ncsu.edu:8030/~vmisra/MOS.ppt][url="http://www4.ncsu.edu:8030/~vmisra/MOS.ppt"][url="http://www4.ncsu.edu:8030/~vmisra/MOS.ppt"]http://www4.ncsu.edu:8030/~vmisra/MOS.ppt[/url][/url] [/url] vond ik zelf het duidelijkste over MOS Condensatoren.

Groeten,

Sjef.

Het vorige bericht was natuurlijk ook van mij.

Wat gebeurt er met het band diagram als ik die verbinding weghaal?

Hoe/wanneer wordt het evenwicht bereikt?

JoostV,

Het P (met een driewaardig element) verontreinigde Silicium is dan wel opgebouwd uit ionen, maar door ionische polarisatie is de som van alle dipoolmomenten nul. I.a.w. er loopt geen stroom van het MOS substraat naar de (meestal Aluminium) Gate elektrode. De SiO2 isolatie tussen Gate en substraat vormt idd een condensator.

Normaal is er trouwens geen verbinding tussen Gate-Substraat mogelijk, in drie-aansluitingen MOSFETs is het substraat altijd aan de Source verbonden.

Er zijn iha 4 verschillende MOSFETs, N- en P kanaal, enhancement of depletion types. De tekening is een deel van de meest gebruikte, een N kanaal enh. type. De N+ gebiedjes die de Drain en Source vormen ontbreken hier.

Groeten,

Sjef.

Hallo, dit is de eerste keer dat ik post een dit forum. Hopelijk kan iemand mij helpen.

Het gaat om het volgende probleem. De werking van een transistor. Het onderdeel dat ik niet denk te begrijpen(waar ik onzeker over ben) is het mos condensator gedeelte.

Hier is een plaatje.

[img]http://home.tiscali.nl/joostvermeulen/download/plaatje.jpg[/img]

Dit is wat ik denk te begrijpen:

Elektronen uit het metaal gaan zitten in sommige gaten in de p-Si(er is een verbinding buitenom). Dit doen ze omdat ze een lager energie niveau kunnen bereiken in p-Si. Op dit lagere energie niveau(onder de geleidingsband) in de p-Si kunnen ze echter niet gebruikt worden voor geleiding.

Er ontstaat een verschil in lading. Het metaal is + ten opzichte van de p-Si. De extra positieve lading in het metaal wordt aangetrokken door de negatieve p-Si. Er kan geen lading door de SiO2 laag. Nu zien we daar een ophoping van positieve en negatieve lading aan weerszijden.

Het evenwicht ontstaat op het moment dat het Fermi-niveau van beide materialen gelijk is.

Kan iemand mij uitleggen waar/of ik er naast zit?

p-Si staat natuurlijk voor p-type Si.

Alvast bedankt