Ik heb er wat tijd in gestoken en ben er niet totaal teverden mee. Mischien kunnen andere het een beetje aanvullen.
Een bipolaire junctie transistor is stroom gestuurd, dit houdt in dat de stroom aan de base de stroom van emitter naar collector defineerd, tegenover het gate potentiaal van een mosfet.
In een pn-junctie diode die terugwaarts geschakeld is is de stroom van de gaten die van n naar p worden aangetrokken (de drift stroom) is in principe onafhankelijk van de toegepaste terugwaardse voltage. Deze drift current hangt af van hoe vaak een elektron-gat paar gecreeert wordt in de lading laag, het hangt niet af van hoe snel de ladingdrager van plus naar min wordt verplaatst, de snelheid is afhankelijk van het aangebrachte potentiaal.
Een zonnecel is in principe een pn-junctie, en kan een stroom laten stromen door de creatie van elektron-gat paren in de lading laag. Een elektron kan uit zijn valantie band worden gehaald door toedoen van zonlicht, in de band blijft er een gat over, het elektron bevindt zich dan in de conductie band. Het elektron en gat wordt in de lading laag door het potentiaal verplaatst naar de plus, dan wel de min kant. Een ander interessant idee is om gaten en elektronen aan te bieden in de lading laag. Deze geinjecteerde gaten kunnen dan als ladingdragers fungeren.
Een pnp transistor bestaat uit een p
+ doped halfgeleider (emitter), een n doped halfgeleider (base) en een p doped halfgeleider (collector). In een 'common base' configuratie is de emitter voorwaards geschakeld (plus op p-doped), de collector is terugwaards geschakeld, en de base is geschakeld aan zowel de positieve kant van de collector-voeding als de negatieve kant van de emitter voeding.
In een 'common base' schakeling is de emitter op een hoog potentiaal en de collector op een laag potentiaal. Er is geen stroom omdat het n-type materiaal de emitter van de collector scheidt. De enige manier voor stroom tussen emitter en collector is om er voor te zorgen dat de gaten aangeleverd aan de emitter kunnen recombineren met elektronen in de base. Dit wordt gedaan door elektronen aan te bieden aan de base. Als dan de gaten van de emitter worden aangetrokken in de base zullen de meeste gaten aangetrokken worden naar de collector toe omdat dat op een nog lager potentiaal is.
Het ontwerp van een pnp transistor is zo gedaan dat de base erg dun is. de gaten die aangetrokken worden naar de base hebben dan een grotere kans om te worden aangetrokken naar de collector kans, en maar een klein percentage recombineert met electrone in de base. De normale efficientie van emitter naar collector stroom is tussen 95% en 99%.
Hoe meer elektronen er aanwezig zijn in de base, hoe groter de aantrekkingskracht van de gaten en hoe hoger de stroom van emitter naar collector. Omdat de efficientie van recombineren in de base zo laag is (1% tot 5%),is het signaal aangeleverd aan de base meerdere malen vergroot aan de collector, waarvoor de emitter de voeding is.
collector is by allowing for a small amount of holes from the emitter to recombinate with electrons supplied at the base. holes are now able to move into the base region because of the electrons available in the base. When they do, most of the holes are attracted towards the collector which is at a more negative potential than the base.
The design of the pnp junction is in such a way that the n-region is very thin. The holes attracted to the base region by the electrons there have a higher chance to be collected at the collector. The general efficiency if 95% to 99% of current flow from emitter to collector.
The more electrons available at the base, the more holes will attracted. Because the efficiency of recombination in the base is very poor, the base signal van be highly amplified. Een pnp schakeling in common base configuratie versterkt dus het signaal aangeleverd aan de base.
Opmerkingen zijn van harte welkom.
