Als je slechts de bovenstaande formule wilt invullen dan hoef je alleen Ie nog maar uit te rekenen, ik begrijp dat dat het probleem is? Het is eigenlijk heel eenvoudig. We gaan ervan uit, om te beginnen, dat de transistor in de voorwaarts-actieve regio ingesteld is. Dit is een aanname die je moet doen om het circuit door te kunnen rekenen. Later kun je controleren of deze aanname geldig was. In de voorwaarts actieve regio van een bipolaire transistor geldt dat de emitterstroom gelijk is aan de basisstroom + de collectorstroom, oftewel:
Ie = Ib + Ic = (B+1)Ib
(Waarbij B eigenlijk Beta heet, en de gelijkstroomversterking van de transistor in voorwaarts actieve mode voorstelt.)
B is gegeven voor iedere transistor, en kun je vinden in het datablad. B is niet nauwkeurig gespecificeerd, omdat deze waarde voor discrete componenten moeilijk exact te produceren is. (Tegenwoordig steeds beter, vooral bij IC's). De basisstroom kun je uitrekenen door een klein-signaal vervangingsschema te tekenen en de wetten van Kirchoff toe te passen. Je vindt dan:
Ib = (Vbb-Vbe)/(Rbb//(rpi + (B+1)Re)
Hierbij is Vbb de thevenin-equivalente spanning aan de basis-terminal, Vbe ongeveer 0.7V (De voorwaartse junctiespanning van de BE-junctie), Rbb de Thevenin-weerstand aan de basis, en rpi de differentiaal-weerstand van de BE junctie.
Ik hoop dat je hier iets verder mee bent. Ik weet niet wat je niveau en leeftijd is, maar er zijn een heleboel goede boeken over dit onderwerp. Succes verder.
Mark
Ps, de formules die jij geeft zijn niet de meest gebruikelijke. Het geeft vaak meer inzicht om een klein-signaal vervangingsschema te tekenen en dan de wetten van K. te gebruiken... Je vindt dan dat de spanningsversterking van een CC trap ideaal gezien gelijk is aan 1, en de spanningsversterking van een CE trap gelijk is aan -gm.Rc.