De vraag is misschien een hele makkelijke voor mechanicanen hier, maar wat moeilijker voor mij.
Ik heb een simulatie programma (Coventorware) waarmee ik de buiging kan bereken door een eigen stres (even vrij vertaald uit: residual stress).
Het gaat hier om siliciumoxide van 2 microm hoog met -287 MPa aan stress. Ik kan dit voor een springplank simuleren en dat komt best goed over met een referentie die ik hier heb.
Springplank is 120 microm lang, 4 microm breed en buigt -800nm naar beneden.
De plank ligt op het substraat, het is 170 microm lang, en hangt dus 120 microm over de rand.
Wat ik uiteindelijk wil is de buiging berekenen van 10 microm koper in de vorm van een membraan, het membraan is 4 bij 4 mm, of 8 bij 8 mm. Dit is een aspect ratio van 400 tot 800 (lengte over dikte). Ik kan deze simulaties doen maar ik kom niet op resultaten hoger dan 1 microm, wat hartstikke goed is, maar ik vertrouw het niet helemaal.
Dus het idee wat ik heb is om een simulatie te doen van een springplank, een balk (aan twee punten vast) en een membraan (2D balk).
het resultaat voor de springplank (120 microm lang, zoals boven) is -800nm
Echter voor een balk (120 microm, plus 50 microm aan beide kanten ligt op het substraat.) is het antwoord rond de enkele nm, dit antwoord lijkt mij niet correct.
Nu kan het zo zijn voor de balk en het membraan, dat er meerdere mogelijke antwoorden zijn, zo is een oplossing van een balk die aan twee punten vast zit: een rechte, een cosinus van een periode, en zo voorts. Als je een balk in elkaar probeert te duwen hoeft het in principe niet te buigen.
Maar hoe simuleer ik dit? Is het dan beter de balk eerst lichtjes te vervormen middels een kracht?
Of buigen deze balken gewoon helemaal niet onder de eigen stres.